Получены первые образцы оксидного полупроводника одноатомной толщины Группа исследователей из Национального института науки и техники Ульсана (Ulsan National Institute of Science and Technology, UNIST), Корея, возглавляемая профессором Зонгуном Ли (Zonghoon Lee), разработала новый метод производства самого тонкого на сегодняшний день оксидного полупроводника. Этот материал, оксид цинка одноатомной толщины, открывает массу новых возможностей для создания тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, дисплеев и т.п.
<
Рейтинг статьи:
|
Читайте также:
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.
